奧林巴斯紅外顯微鏡 BX53

配置IR專用物鏡，可用于透過硅材料成像，進行半導體檢查和測量

奧林巴斯BX/MX系列紅外顯微鏡配備的5X到100X紅外（IR）物鏡，提供了從可見光波長到近紅外的像差校正。

對于高放大倍率的物鏡，配備了LCPLN-IR系列帶校正環的物鏡，校正由樣品厚度導致的像差，使用一個物鏡即可獲取清晰的圖像。

電子設備在當今現代科技中已非常普遍。每個人很有可能已經在使用電子設備時，間接遇到并使用了硅晶圓。 晶圓是一種薄的半導體材料基材，用于制造電子集成電路。半導體材料種類多樣，電子器件中*常用的一種半導體材料是硅 (Si)。硅晶圓是集成電路中的關鍵部分。它由高純度、幾乎無缺陷的單晶硅棒經過切片制成，用作制造晶圓內和晶圓表面上微電子器件的基板。硅晶圓會積累在生長、切割、研磨、蝕刻、拋光過程中的殘余應力。因此，硅晶圓在整個制造過程中可能產生裂紋，如果裂紋未被檢測到，那些含有裂紋的晶圓就在后續生產階段中產生無用的產品。裂紋也可能在將集成電路分割成單獨 IC 時產生。因此，若要降低制造成本，在進一步的加工前，檢查原材料基材的雜質，裂紋以及在加工過程中檢測缺陷非常重要。

近紅外一般定義為700-1600nm波長范圍內的光線，由于硅傳感器的上限約為1100nm，砷化銦鎵（InGaAs）傳感器是在近紅外中使用的主要傳感器，可覆蓋典型的近紅外頻帶。大量使用可見光難以或無法實施的應用可通過近紅外成像完成。當使用近紅外成像時，水蒸氣、霧和硅等特定材料均為透明，因此紅外顯微檢測被應用于半導體行業的各個方面。